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RS30P65D
低压P-沟道场效应晶体管

RS30P65D是一款低压P沟道场效应晶体管,该产品具有超低内阻和较低的栅极电容,很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于DC-DC、电源管理、电机驱动。


主要特点
    • VDSS(V) =-30,ID(A) =-65,Vth(V)=-1.7,Vgs(V)=±20

    • RDS(on) Typ (mΩ)=7.1

    • RDS(on) Max (mΩ)=9.2

    • Trench工艺,更小的RSP,串并联随意搭配

    • 低导通电阻,结电容适中,高效率,高可靠性


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RS30P65D PDF 1188 RS30P65D
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