400 887 5512
全部
新闻
产品

产品中心

Product Center

RSU13N65F
高压N-沟道多层外延超结MOS

RSU13N65F是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。


主要特点

    VDS =650V,ID =13A

    RDS(ON) <380mΩ @ VGS = 10V

    超结工艺

    ●极低的导通电阻

    ●100%的UIS测试


技术文档
标题 类型 大小 (KB) 下载完整规格书
RSU13N65F PDF 2,000 RSU13N65F TO-220F SPEC_EN A0
用户验证码登录
发送验证码
验证码错误,请重新输入!
登录
服务热线

国内热线:188 2581 2467

海外热线:188 2580 9850

产品咨询
技术支持

技术支持:188 2581 0427

TOP
返回顶部