RSM065060Z是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET，该产品拥有较强的抗冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升，及节省空间、减轻重量及减少零件数量，并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）等各种工业和汽车领域。
ID =29A，VDSS =650V，VGS(V) =+18/-4
RDS(ON) <79mΩ
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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| RSM065060Z | 1188 | RSM065060Z |
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