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RS2N100D
超高压N-沟道场效应晶体管

产品优势:新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,⾼温特性优良。
产品特性:超⾼电压,超⼩内阻,散热性能好,⾼温漏电⼩,⾼温电压跌落⼩。
产品应⽤:智能电表,机柜电源,⼯业开关电源,电⼒系统等。


主要特点
    • ID(A) =2,VDSS(V)=1000

    • RDS(ON)  Typ(Ω)=6,Max(Ω)=7.2

    • 新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良

    • 超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小


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RS2N100D PDF 1100 RS2N100D
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