RSF60R099F是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于OBC充电机，化成电源，医疗电源，金牌PC电源，服务器电源，TV电源，充电桩，通讯电源，谐振方案，工控等。
ID（A） =31，VDSS（V）=600
RDS(ON) Typ（mΩ）=86，Max（mΩ）=99
采用多层外延工艺制作，与Trench工艺相比，具有优异的抗EMI及抗浪涌能力
超小内阻，超小封装，超低结电容，EMI余量大
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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| RSF60R099F | 1188 | RSF60R099F |
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