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RS30N30K
低压N-沟道场效应晶体管

RS30N30K是一款低压N沟道场效应晶体管,该产品具有超低内阻和较低的栅极电容,很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于电源管理、同步整流、电机驱动等领域。


主要特点
    • VDSS(V) =30,ID(A) =30,Vth(V)=1.75,Vgs(V)=±20

    • RDS(on) Typ (mΩ)=5.8

    • RDS(on) Max (mΩ)=9

    • Trench工艺,更小的RSP,串并联随意搭配

    • 低导通电阻,结电容适中,高效率,高可靠性


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RS30N30K PDF 1188 RS30N30K
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