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RS40N180T是一款低压N沟道场效应晶体管，该产品采用了SGT 工艺，突破性的FOM优化，极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率。适用于马达驱动，5G基站，储能，高频开关，同步整流等领域。
VDSS(V) =40，ID(A) =180，Vth(V)=1.8，Vgs(V)=±20
RDS(on) Typ (mΩ)=1.9
RDS(on) Max (mΩ)=2.5
SGT 工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景
极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率
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技术支持：188 2581 0427
