RS100N190T是一款低压N沟道场效应晶体管，该产品采用了SGT 工艺，突破性的FOM优化，极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率。适用于马达驱动，5G基站，储能，高频开关，同步整流等领域。
VDSS(V) =100，ID(A) =190，Vth(V)=3，Vgs(V)=±20
RDS(on) Typ (mΩ)=3.2
RDS(on) Max (mΩ)=3.8
SGT 工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景
极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
|---|---|---|---|
| RS100N190T | 1188 | RS100N190T |
国内热线：188 2581 2467
海外热线：188 2580 9850
技术支持：188 2581 0427
