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RSF4N60F
内置FRD N-沟道场效应晶体管

产品优势:掺铂⾦特殊⼯艺、极⼤的降低由反向恢复导致的开关损耗。
产品特性:漏电流⼩于1µA、适宜的恢复软度,降低电磁⼲扰。
产品应⽤:电机系列、逆变器、半桥/全桥应⽤等。


主要特点
    • ID(A) =4,VDSS(V)=600

    • RDS(ON)  Typ(Ω)=2,Max(Ω)=2.4

    • Diode Trr(nS) =110

    • 掺铂金特殊工艺、极大的降低由反向恢复导致的开关损耗 

    • 漏电流小于1µA、适宜的恢复软度,降低电磁干扰


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RSF4N60F PDF 1100 RSF4N60F
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