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RSF5N50D是瑞森采用先进的掺铂金特殊工艺制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品极大的降低了反向恢复导致的开关损耗。广泛应用于电机系列、逆变器、半桥/全桥应用等。
ID（A） =5，VDSS（V）=500
RDS(ON) Typ（Ω）=1.5，Max（Ω）=1.8
Diode Trr（nS） =61
掺铂金特殊工艺、极大的降低由反向恢复导致的开关损耗
漏电流小于1µA、适宜的恢复软度，降低电磁干扰
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