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RSF60R190F
高压N-沟道多层外延超结MOS

RSF60R190F 是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于大功率开关电源,充电桩,矿机等领域。


主要特点
    • VDS =650V,ID =17.6A

    • RDS(ON) <190mΩ @ VGS = 10V

    • 超结工艺

    • 极低的导通电阻

    • 100%的UIS测试


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RSF60R190F PDF 1100 RSF60R190F
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