RSF60R070F 是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于大功率开关电源,充电桩,矿机等领域。
VDS =600V,ID =48A
RDS(ON) <68mΩ @ VGS = 10V
超结工艺
极低的导通电阻
100%的UIS测试
标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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RSF60R070F | 2000 | RSF60R070F |
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