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RS30N50D
低压N-沟道场效应晶体管

产品优势:Trench⼯艺,更⼩的RSP,串并联随意搭配。
产品特性:低导通电阻,结电容适中,⾼效率,⾼可靠性。
产品应⽤:⽆线充电,快充,⻢达驱动,DC/DC变换器,⾼频开关,同步整流。


主要特点
    • VDSS(V) =30,ID(A) =50,Vth(V)=1.8,Vgs(V)=±20

    • Rdson_10V Typ (mΩ)=6.6,Max (mΩ)=8.6

    • Rdson_4.5V Typ (mΩ)=9.9,Max (mΩ)=12.9

    • Trench工艺,更小的RSP,串并联随意搭配

    • 低导通电阻,结电容适中,高效率,高可靠性

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RS30N50D PDF 1100 RS30N50D
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