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RS100N120S
低压N-沟道场效应晶体管

产品优势:SGT⼯艺,突破性的FOM优化,覆盖更多的应⽤场景。
产品特性:低导通电阻,低损耗,⾼雪崩耐量,⾼效率。
产品应⽤:⻢达驱动,5G基站,储能,⾼频开关,同步整流。


主要特点
    • VDSS(V) =100,ID(A) =120

    • Vth(V)Min=2,Typ=3,Max=4

    • Vgs(V)=±20

    • Rdson_10V(mΩ) Typ=4.3,Max=5.3

    • SGT 工艺,突破性的FOM优化,覆盖更多的应用场景

    • 极低导通电阻,低损耗,高雪崩耐量,高效率


技术文档
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RS100N120S PDF 1100 RS100N120S
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