产品优势：SGT⼯艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应⽤场景。
产品特性：低导通电阻，低损耗，⾼雪崩耐量，⾼效率。
产品应⽤：⻢达驱动，5G基站，储能，⾼频开关，同步整流。
VDSS(V) =150，ID(A) =160
Vth(V)Min=2.5，Typ=3.5，Max=4.5
Vgs(V)=±20
Rdson_10V(mΩ) Typ=5.2，Max=6.5
SGT 工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景
极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
|---|---|---|---|
| RS150N160S | 1100 | RS150N160S |
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