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RS20N50F
高压N-沟道场效应晶体管

产品优势:新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良。
产品特性:超小内阻,结电容适中,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小。
产品应用:LED驱动,小家电,适配器,工业开关电源等。


主要特点
    • ID(A) =20,VDSS(V)=500

    • RDS(ON)  Typ(Ω)=0.21,Max(Ω)=0.27

    • 新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良

    • 超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小

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RS20N50F PDF 1100 RS20N50F
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