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RS40N80T
低压N-沟道场效应晶体管

产品优势:Trench⼯艺,更⼩的RSP,串并联随意搭配。
产品特性:低导通电阻,结电容适中,⾼效率,⾼可靠性。
产品应⽤:⽆线充电,快充,⻢达驱动,DC/DC变换器,⾼频开关,同步整流。


主要特点
    • VDSS(V) =40,ID(A) =80,Vth(V)=1.9,Vgs(V)=±20

    • Rdson_10V Typ (mΩ)=4.4,Max (mΩ)=5.7

    • Rdson_4.5V Typ (mΩ)=6.7,Max (mΩ)=8.0

    • Trench工艺,更小的RSP,串并联随意搭配

    • 低导通电阻,结电容适中,高效率,高可靠性


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RS40N80T PDF 1188 RS40N80T
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