400 887 5512
全部
新闻
产品

产品中心

Product Center

RS40N200T
低压N-沟道场效应晶体管

产品优势:Trench⼯艺,更⼩的RSP,串并联随意搭配。
产品特性:低导通电阻,结电容适中,⾼效率,⾼可靠性。
产品应⽤:⽆线充电,快充,⻢达驱动,DC/DC变换器,⾼频开关,同步整流。


主要特点
    • VDSS(V) =40,ID(A) =200,Vth(V)=1.65,Vgs(V)=±20

    • Rdson_10V Typ (mΩ)=2.0,Max (mΩ)=2.7

    • Rdson_4.5V Typ (mΩ)=2.3,Max (mΩ)=3

    • Trench工艺,更小的RSP,串并联随意搭配

    • 低导通电阻,结电容适中,高效率,高可靠性


技术文档
标题 类型 大小 (KB) 下载完整规格书
RS40N200T PDF 1100 RS40N200T
用户验证码登录
发送验证码
验证码错误,请重新输入!
登录
服务热线

国内热线:188 2581 2467

海外热线:188 2589 8464

产品咨询
技术支持

技术支持:188 2581 0427

TOP
返回顶部