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RS30N120G是一款低压N沟道场效应晶体管，该产品具有超低内阻和较低的栅极电容，很高的雪崩击穿耐量和极快的开关速度快。适用于电源管理、同步整流、电机驱动等领域。
VDSS(V) =30，ID(A) =120，Vth(V)=1.5，Vgs(V)=±20
RDS(on) Typ (mΩ)=1.2
RDS(on) Max (mΩ)=1.8
SGT 工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景
低导通电阻，结电容适中，高效率，高可靠性
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