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RSF55R090F
高压N-沟道多层外延超结MOS


主要特点
    • ID(A)=40,VDSS(V)=550

    • RDS(on) Typ(mΩ)<80,RDS(on) Max(mΩ)<90

    • 低VF,高浪涌电流能量

    • 极小的反向恢复电流,大幅降低开关损耗

    • 更高频率运行,能让被动元器件做得更小

    • RSF是内置FRD

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RSF55R090F PDF 1100 RSF55R090F
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