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RS65T520F
高压N-沟道 深沟槽 超结MOS

产品优势:采用深沟槽工艺制作,提升器件功率密度,优异的开关特性
产品特性:超小内阻,超小封装,超低结电容,开关特性优良
产品应用:LED驱动,PFC线路,开关电源,不断电供应系统UPS,新能源电力设备等


主要特点
    • ID(A)=8,VDSS(V)=650

    • RDS(on) Typ(mΩ)<460,RDS(on) Max(mΩ)<520

    • 全新G4第四代工艺

    • 提升器件的结构密度

    • 进一步降低Rdson

    • 开关特性优异,高效率


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RS65T520F PDF 1100 RS65T520F
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