四大特点：
1.简化线路设计摆脱“专用碳化硅驱动芯片”的约束：
解决传统SiC MOSFET在关断过程中可能误开启的问题，实现SiC器件驱动IC更广泛的选择范围，有效简化SiC MOSFET的线路设计
2.实现便捷替换，降低系统升级成本：
使得SiC MOSFET能够更便捷地与现有的硅基方案替代，减少系统升级和替换的成本、复杂度
3.提高系统可靠性，减少电磁干扰：
通过实现零伏关断，SiC MOSFET在开关过程中，产生的电压和电流变化更加平缓，从而减少了电磁干扰（EMI）和电压应力，提高了整个系统的可靠性和稳定性
4.优化开关性能，提升器件整体效率：
零伏关断技术有助于优化SiC MOSFET的开关性能，包括减少开关损耗、提高开关速度等，从而提升了器件的整体效率
ID =18A，VDSS =650V，VGS(V) =3.3
RDS(ON)15V Typ(mΩ)：180，Max(mΩ)：280
RDS(ON)18V Typ(mΩ)：130，Max(mΩ)：200
SiC传统市场应用场景： ▪ 汽车电子 ▪ 光伏逆变 ▪ 5G通信基站 ▪ 工控设备
消费类电子市场应用场景： ▪ LED驱动电源 ▪ 适配器 ▪ 充电器 ▪ 服务器电源
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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| RSM065180D | 1100 | RSM065180D |
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