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RSM120025W
高压N-沟道碳化硅功率场效应晶体管

RSM120025W 是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源(UPS)等各种工业和汽车领域。


主要特点
    • VDS =1200V,ID =90A

    • RDS(ON) <34mΩ@ VGS =20V

    • 抗冲击能力强

    • 良好的温度特性

    • 良好的开关特性



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