产品中心
Product Center
RSM120025W 是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源(UPS)等各种工业和汽车领域。
VDS =1200V,ID =90A
RDS(ON) <34mΩ@ VGS =20V
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
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技术支持:188 2581 0427