RSE80R850D是瑞森采用先进的超结工艺制造的N沟道多层外延超结场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品具有极低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于OBC充电机，化成电源，医疗电源，金牌PC电源，服务器电源，TV电源，充电桩,通讯电源，谐振方案，工控等。
ID（A） =7，VDSS（V）=800
RDS(ON) Typ（mΩ）=740，Max（mΩ）=850
采用多层外延工艺制作，与Trench工艺相比，具有优异的抗EMI及抗浪涌能力
超小内阻，超小封装，超低结电容，EMI余量大
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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| RSE80R850D | 1188 | RSE80R850D |
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