RSM12H040Z是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET，该产品拥有较强的抗冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升，及节省空间、减轻重量及减少零件数量，并增强系统可靠性。可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理 和太阳能系统领域。
ID =65A，VDSS =1200V，VGS(V) =+18/-4
RDS(ON) <52mΩ
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
| 标题 | 类型 | 大小 (KB) | 下载完整规格书 |
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| RSM12H040Z | 1188 | RSM12H040Z |
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